套刻標識可靠性OMF（3σ）和Matching目標 。其間KLA約4億美金，更為我國半導體工業鏈的長時刻開展鋪平了路途。其國產化程度小于5%，更是前道量測設備的重中之重。經過與供給商的深度綁定 ，由光刻工藝所界說的相鄰兩層平面圖形的方位疊對差錯（x和y方向）就稱為套刻精度 ，一起考慮到先進制程軍備競賽式的擴產，薄膜成長