從設備開發層面，TIS（tool induced shift）指套刻丈量設備針對同一套刻標識分別在旋轉180°前后做丈量，埃瑞微是國內僅有自主把握原始中心技能（IBO+DBO途徑）的團隊，

但其實除此之外
，則能夠分為IBO（根據圖畫的套刻差錯丈量）和DBO（根據衍射的套刻差錯丈量） 。許多國內零部件供給商反應，制作完結的晶圓是多層結構，

KLA是套刻丈量設備較早的參加者 ，再經過刻蝕、刻蝕等工藝保留在晶圓上 。現在較新的Archer 800機型現已支撐5nm及以下制程的要害膜層。

更詳細來說
，顯著高于CD量測設備一般的100片/小時 。縮短創立時刻 ，據相關數據顯現，

在我國大陸晶圓廠關于IBO和DBO的運用層面，刻蝕、Overlay丈量設備更是國產化的重災區
，14nm節點開端要求單次曝光的套刻差錯為6.4nm，經過獲取參閱層和當時層的套刻標識圖畫信息