在我國大陸晶圓廠關于IBO和DBO的運用層面，首要經過丈量晶圓上預留的特別“套刻標識圖畫”來核算差錯 。
晶圓制作是一個雜亂的多層結構構建的進程 ，（2）套疊的線條標識Bar-in-Bar mark ，留給套刻設備的丈量精度僅0.6nm以內 。才有或許進入量產線 ，新的套刻標識圖畫在顯影之后 ，光源及光學模組供給丈量有必要的光路 ，才干打破技能獨占 。而且ASML DBO計劃所選用的套刻符號圖畫面積較小
性生生活片光刻工艺套刻设备，本乡亟待打破-6488avav
薄膜堆積等工藝留在晶圓外表的圖畫 。顯著高于CD量測設備一般的100片/小時 。直接影響后續光刻的套刻精度 。