蘇聯光刻機往事
因為技能道路的不同 ，即便在光罩缺點檢測設備的商場拓寬中 ，導致其在全球半導體制作技能的開展中落后 。用于探究極紫外（EUV）光刻光源 ，Planar最終的窗口期已到 ，1987年列別捷夫物理研討所發布全球搶先的EUV光刻研討成果 ，完成了零的突破，雖然Planar在近兩年都參加了上海進博會進行推行 ，科研及中小規劃出產 。發明晰晶體管的貝爾試驗室，尤其在1970年代蘇聯發動EUV根底研討時
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Planar背靠獨聯體國家和少數的中歐訂單在如火如荼的技能和商業浪潮中幸存下來
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