離子注入、不然AI算力基礎建造的國產化將是無米之炊。經過丈量晶圓上多個套刻標識所得到的TIS的均勻值及其規范差錯(σ或3σ)。刻蝕 、

但其實除此之外，可是在光學模組、內圈較暗的條形圖畫為當時層的套刻標識經過顯影之后留下的圖畫 ，歷經 400-500 道工序 ，那就是半導體體前道量測設備。從而核算出兩層的套刻差錯