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套刻丈量設備要滿意這些目標要求 ,例如設備進入28nm產線不代表必定能夠滿意要害膜層的需求 ,因而Overlay設備的分辨率要求更高  ,KLA的技能途徑以IBO途徑為主,拋光 、會以光刻膠圖畫的方法出現在當時層