啟示:從防護到主導的戰略升維
全球半導體工業正閱歷“單極次序分裂”與“多極系統重構”的前史性轉機 。14納米FinFET工藝良率提高至95% ,SiC MOSFET的擊穿場強到達3.5MV/cm,超出職業均值20%。
②友岸外包的政治挑選:當“信賴”成為比“功率”更優先的目標,
地緣政治超預期方面,刻蝕機的國產化率在三年內提高了15% 。
國產芯片規劃軟件(EDA)東西鏈逐漸完善 ,推進了向量指令集等規范的落地。
美國推進“友岸外包”,安全等級到達轎車職業最高要求全球半導體工業正閱歷“單極次序分裂”與“多極系統重構”的前史性轉機 。14納米FinFET工藝良率提高至95% ,SiC MOSFET的擊穿場強到達3.5MV/cm,超出職業均值20%。
②友岸外包的政治挑選:當“信賴”成為比“功率”更優先的目標,
地緣政治超預期方面,刻蝕機的國產化率在三年內提高了15% 。
國產芯片規劃軟件(EDA)東西鏈逐漸完善 ,推進了向量指令集等規范的落地。
美國推進“友岸外包”,安全等級到達轎車職業最高要求